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利用CaH2通过拓扑化学反应生长重掺氢SmFeAsO外延薄膜在48k下的超导性( Superconductivity at 48 K of heavily hydrogen-doped SmFeAsO epitaxial films grown by topotactic chemical reaction using CaH2 )
J Matsumoto K Hanzawa M Sasase S Haindl T Katase H Hiramatsu H Hosono
报道了MgO单晶衬底上掺氢SmFeSo外延薄膜在48 K的高临界温度(Tc)超导电性。其关键工艺是脉冲激光沉积生长未掺杂SmFeSo外延薄膜，以及随后在真空硅玻璃安瓿气氛下使用CaH2粉末进行拓扑化学反应。我们开发的这种沉积后热退火处理实现了SmFeAs(O1-xHx)中最大氢浓度x=~0.35。原子尺度的微观结构观察直接证实了O位的无序氢取代。磁化测量中的完全抗磁性验证了薄膜中高Tc超导电性的大块性质。该方法将成为制备各种高质量氧氢化物外延膜的有效而通用的方法。
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