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用于MIR和ECEI等离子体诊断的微波宽带CMOS收发电路设计( Design of microwave broadband CMOS transmitter and receiver circuits for MIR and ECEI plasma diagnostics )
Y Chen Y Zhu JH Yu Y Ye NC Luhmann
为了利用MIR诊断技术有效地确定等离子体电子密度涨落,研制了55-75 GHz 65 nm-CMOS发射机,其中四个分离的中频(IF)信号经上变频、放大后组合产生8音RF输出；本文还设计了一个宽带90 nm CMOS接收机,它由射频低噪声放大器(LNA)、混频器和中频放大器组成。这些电路及其相应模块不久将部署在DIII-D和NSTX-U聚变装置上。本文还设计了一个110-140 GHz 65 nm-CMOS接收机,该接收机适用于DIII-D托卡马克装置中利用电子回旋发射成像诊断系统测量深芯温度波动。除了RF-LNA/巴伦、混频器和IF放大器外，这款高度集成电路芯片还包括一个LO巴伦/三倍频器和驱动放大器。通过在前端系统设计中采用微波毫米波片上系统的概念，本文论证了可以轻松地构建紧凑的发射器和接收器模块，进而方便阵列的实现和维护。
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