全无机卤化铋类钙钛矿材料A3Bi2I9和A3Bi1.8Na0.2I8.6 (A = Rb和Cs)用于低压开关电阻存储器

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作者：scidown 发布时间：2021-07-05 20:49:54 文章标题：

全无机卤化铋类钙钛矿材料A3Bi2I9和A3Bi1.8Na0.2I8.6 (A = Rb和Cs)用于低压开关电阻存储器( All-Inorganic Bismuth Halide Perovskite-like Materials A3Bi2I9 and A3Bi1.8Na0.2I8.6 (A = Rb and Cs) for Low-Voltage Switching Resistive Memory )

文章作者：

C Can K Seul-Gi JM Yang S Ja-Young L Donghwa P Nam-Gyu forming-free substitution multilevel switching large on/off ratio low power consumption resistive switching lead-free perovskite

文章简述：

随着硅基金属氧化物半导体场效应晶体管越来越接近其规模极限，电阻式随机存取存储器器件由于其低功耗、高耐久性和保持性、可扩展性和快速开关速度而变得越来越重要。在过去的几年中，有机-无机卤化铅钙钛矿被广泛应用于电阻开关应用中，在大的通断比和低的功耗方面，它们比传统的金属氧化物要好。然而，关于此类应用的无铅钙钛矿的报道很少。在本报告中，我们制备了无铅Au/A₃Bi₂I₉/Pt/Ti/SiO₂/Si（A为CS⁺或RB⁺)器件，并测试了它们的不可阻开关特性。它们的形成步骤为重复开关，工作电压低(rb₃Bi₂I₉，cs₃Bi₂I₉)为0.09V，Cs₃I₉为0.1V),通断比大(>10⁷),耐受性高(rb₃Bi₂I₉为200次这种低电压可以用晶界调制离子漂移来解释。耐久性的差异推测是由于薄膜表面粗糙度的差异，因为Cs₃Bi₂I₉薄膜较光滑。为了省去形成步骤，用Na⁺取代10%的Bi³⁺阳离子。然而，这种方法只适用于基于RB的结构。这种现象可以用缺陷形成能来解释，与面沙面体结构相比，只有在角共享的Rb₃Bi₂I₂I₉结构中缺陷形成能为负值。Asa结果表明，取消了成型步骤，获得了100次循环的耐久性和1000 s的保持性能。同样地，较低的内陷被怀疑是由于薄膜的表面质量差。

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