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自我㏒选择性有机导电Nanofilament记忆电阻的工程实现实际神经形态系统扩散( Self㏒elective Organic Memristor by Engineered Conductive Nanofilament Diffusion for Realization of Practical Neuromorphic System )
Hea㎜im Park Min〩wi Kim Hyungjin Kim Sin〩yung Lee
解决方案，rocessed有机忆阻器是实现智能可穿戴电子设备（包括神经网络）的有前途的成分。在有机忆阻器中，从机械和电学特性的角度来看，材料的可调功能允许实现生物逼真的神经形态电子学。然而，由于未选择的单元产生不希望的潜流，实现有机忆阻器的高密度交叉棒阵列是具有挑战性的。对于无机系统，通过使用外部元件来抑制潜流，已经做出了相当大的努力来制造实用的阵列。相比之下，在有机忆阻器中，由于溶剂正交性限制了器件的集成，几乎不可能实现实用系统。本文提出了一种前所未有的高自选择性有机忆阻器结构，以实现实用的交叉阵列。在所开发的忆阻器中，自选择性特性是通过系统工程聚合物中的导电纳米丝扩散来实现的。发现忆阻器阵列的最大尺寸大于1 Mbits，基于所开发的器件的神经网络显示出类似于理想软件系统的可靠识别性能。这种开发具有高自选择性的有机忆阻器的新概念将为实现下一代、柔性记忆和与人工智能相关的实用神经形态系统开辟一个新的平台。通过系统工程的导电纳米丝在聚合物介质中的扩散，开发了一种前所未有的具有高自选择性的有机忆阻器结构。发现有机忆阻器阵列的最大尺寸大于1 Mbits，基于该器件的神经网络显示出可靠的识别性能。
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