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多晶金刚石薄膜与量身定制的微/纳米结构/掺杂新型大面积薄膜基金刚石电子( Polycrystalline diamond films with tailored micro/nanostructure/doping for new large area film-based diamond electronics )
APAD G EDOA C PTA D AJ E JEOA E JFV A MJY E YK F OAA B
本文介绍了将超微晶金刚石(UNCD)薄膜的电阻率和载流子类型这两个关键电学性质转变为微晶金刚石(MCD)薄膜的方法。结果表明,所研究的聚晶金刚石薄膜的电学性能取决于晶粒尺寸、等离子体处理后的晶界网络界面和膜外表面,其中氢、氟或氮可以定制电载流子类型来调节电学性能。探索通过调整晶粒尺寸、表面化学以及氮或氟掺杂到膜的晶界和外表面来调节聚晶金刚石膜电阻率的可行性,可以使这些金刚石膜在微/纳米电子器件上用作活性层或散热层。由于聚晶金刚石薄膜可以在300mm直径的硅晶片上以极均匀的方式生长,目前用于硅基微/纳米电子器件的制造,因此这项工作可以为新的金刚石基电子器件的工业化生产开辟道路。
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