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利用多相晶界的二维钯二硒化物记忆电阻器中的异常电阻开关( Anomalous resistive switching in memristors based on two-dimensional palladium diselenide using heterophase grain boundaries )
Yesheng Li Leyi Loh Sifan Li Li Chen Kah-Wee Ang
记忆突触在神经形态学计算中的实现受到设备开关行为的有限重复性和高能耗的阻碍。典型的灯丝型忆阻器由于随机灯丝的形成而受到设定电压和电阻状态的时间和空间变化的影响。在这里,我们报告了基于二维五角二硒化钯(PdSe2)的忆阻器,它可以在两种可互换的复位模式下表现出反常的电阻开关特性:全复位和准复位。电子束辐照PdSe2材料时,通过局部相变形成异质相晶界,导致沿晶界的残馀细丝形成,这些残馀细丝可以引导导电细丝的形成。在准复位模式下工作时,与全复位模式下工作的器件相比,忆阻器在开关变化方面有六倍的改善,并且具有低设定电压(0.6V)、长保持时间和可编程多电平电阻状态。我们还表明,该设备可以模拟突触可塑性,多模式记忆可以使用交叉条阵列结构来实现。
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