室温下碳化硅单自旋的相干控制

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作者：scidown 发布时间：2021-07-03 10:19:03 文章标题：

室温下碳化硅单自旋的相干控制( Coherent control of single spins in silicon carbide at room temperature )

文章作者：

Widmann Matthias Sang-Yun Rendler Torsten N Tien Fedder Helmut Paik Seoyoung

文章简述：

固体中的自旋是量子自旋电子学（1）的基石元素。主要竞争者，如金刚石中的缺陷（2-5）或硅中的单个磷掺杂剂（6）已经显示出SPE。>>

文章下载地址（开放版）：

万方

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