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高㏄erformance太阳能盲紫外探测器基于单一〤rystal Si /β〨a2O3 p n异质结( High㏄erformance Solar Blind UV Photodetectors Based on Single〤rystal Si/β〨a2O3 p‐n Heterojunction )
Y Zheng MN Hasan J Seo Si nanomembrane Si/β‐Ga2O3 heterostructure solar‐blind photodetector β‐Ga2O3
本文通过在βA2O3上微转移印刷单晶硅柱，制备了Si/βA2O3日盲光电探测器(PDs)。与其它的βA2O3基异质结方法不同，这种新的单晶p-n Si/βA2O3异质结具有无颗粒异质界面，并且在非均匀集成后没有任何内部应变的迹象，这一点经拉曼光谱证实。结果表明，PDs在紫外光照射下具有极高的光响应度(748AW1)，量子效率(3.67×105%)，紫外/可见抑制比(≈105)。这一结果为实现高灵敏度的日盲光电探测系统提供了一条可行的途径。日盲光电探测系统是高灵敏度的下一代安全、生物医学和环境监测系统中不可缺少的重要组成部分。另外，独特的异质集成方法使我们可以实现多种βA2O3基异质结构，进一步提高βA2O3基PDS的光学性能。通过在βA2O3上微转移印刷单晶硅柱，成功地制备了Si/βA2O3日盲PDs。PDs显示出极高的光电性能，为实现高灵敏度的日盲光电探测系统提供了一条可行的途径。日盲光电探测系统是未来高灵敏度的环境安全、生物医学和环境监测系统中不可缺少的重要组成部分。
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