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铁电隧道结存储器中过程诱导缺陷对极化开关的影响( Effects of Process-Induced Defects on Polarization Switching in Ferroelectric Tunneling Junction Memory )
K Lee S Kim JH Lee BG Park D Kwon
通过计算铁电隧道结(FTJ)存储器的剩馀极化(${P}_{mathrm{r}})、矫顽场(${E}_{mathrm{c}})和极化转换速度,研究了FTJ存储器的标度效应。通过对不同尺寸FTJ的直流隧穿电流和频率响应的分析,发现宽度的减小并不改变极化转换机制(畴形核极限)。然而,随着长度的缩放,畴壁扩展受限的开关由过程诱导的损伤边缘区域占主导地位,导致更大的{P}_{mathrm{r}}和更快的开关速度。
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