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碳材料中Co和N共掺杂增强的电容去离子化( Enhanced capacitive deionization boosted by Co and N co-doping in carbon materials )
X Hu X Min H Wang X Li W Yang
本研究采用盐熔法合成了钴、氮共掺杂多孔碳材料（Co-N/CN）作为电容脱盐(CDI)的有效电极材料。合成的材料具有合适的微/介孔交联结构、较多的结构缺陷和多官能团。系统的研究表明,Co、N共掺杂可以提高材料的电化学性能和CDI性能。与单掺N的样品相比,Co-N/CN样品具有更高的比电容、更低的离子/电子输运电阻和更大的去电离容量。这种优越的电容脱盐性能可以归功于掺杂Co和N的协同效应，如Co-N位的产生。最佳Co-N/CN电极在NaCl浓度为824 m g L时,在1.4V下的脱盐容量为58.82 m g NaCl g（阳极为71.4 m g Cl g）,循环稳定性好,100次充放电循环中电荷贮存无明显降解。因此，我们认为Co-N/CN电极具有很大的CDI实际应用潜力。
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