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热诱导自掺杂和锐钛矿到金红石相变对TiO2纳米管阵列中多重纳米丝高效电阻开关的影响( Multiple nano-filaments based efficient resistive switching in TiO2 nanotubes array influenced by thermally induced self-doping and anatase to rutile phase transformation )
A Hazra A Tripathi A Jan S Kundu PKR Boppidi TiO2 nanotubes array multiple filaments phase transformation point defects resistive switching
本文讨论了热致自掺杂和相变对TiO2基电阻随机存储器的影响。用垂直排列的一维TiO2纳米管阵列(TNTA)代替薄膜作为开关元件。采用阳极氧化法合成了TNTA，在350°C空气中热处理，然后在350°C氩气中进一步退火至650°C。用多孔金（Au）顶电极制备了Au/TiO2纳米管/Ti电阻开关器件。X射线衍射和拉曼光谱表明，随着热处理温度的升高，晶型由锐钛矿型向金红石型转变，而光致发光光谱显示了氧空位(OV)和钛间隙(Tii)的自掺杂水平。电学特性确定了所有样品中的双极和电铸自由电阻开关。其中，在550℃热处理的ReRAM样品S3显示出最有效的阻性开关特性，在0.6V的读电压和2.0V的设定电压下，ROFF/R ON为102。S3样品在106s以上保持了良好的性能，在整个实验过程中，ROFF/R ON保持稳定≈107。
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