具有大量空穴迁移率和空气稳定性的半导体硅基聚合物的合成、表征和晶体管响应。实验和理论

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作者：scidown 发布时间：2021-06-30 13:18:41 文章标题：

具有大量空穴迁移率和空气稳定性的半导体硅基聚合物的合成、表征和晶体管响应。实验和理论( Synthesis, characterization, and transistor response of semiconducting silole polymers with substantial hole mobility and air stability. Experiment and theory )

文章作者：

L Gang H Usta C Risko L Wang A Facchetti MA Ratner TJ Marks TCT benzodiazepine o-phenylenediamine ketones catalyst

文章简述：

实现具有良好空穴迁移率、溶液加工性和空气稳定性的p沟道半导体聚合物是聚合物固体中电荷输运的化学操纵和低成本印刷电子学发展的重要一步。本文报道了二噻吩硅烷和二苯并硅烷基均聚物聚（4,4-二正己基二噻吩硅烷）(TS6)和聚（9,9-二正己基二噻吩硅烷）(BS8)及其单噻吩和联噻吩共聚物聚（4,4-二正己基二噻吩硅烷-alt-（双）噻吩）(TS6T1,TS6T2)和聚（9,9-二正辛基二苯并硅烷-alt-（双）噻吩）(BS8T1,BS8T2)的合成和全面表征，并详细考察了二噻吩硅烷和二苯并硅烷的引入后果苯并硅烷核进入噻吩聚合物骨架。我们演示了在环境条件下制作的空气稳定薄膜晶体管，其空穴迁移率高达0.08cm(2)/V×s，低导通电压，电流通断比>10(6)。此外，在环境条件下制备的非封装TFT具有空气稳定性，这是相对于区域规则的聚（3-己基噻吩）(P3HT)基器件的一个重要进步。密度泛函理论计算提供了对聚合物物理化学和电荷输运特性的详细了解。结合薄膜的形态特征，确定并讨论了空穴注入势垒与TFT导通电压和TFT聚合物空穴迁移率之间的直接关系，以解释观察到的OTFT性能趋势。

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