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高辐射量子点-聚合物共混物中间隔配体的能量/电荷转移调制( Energy/Charge Transfer Modulation with Spacer Ligands for Highly Emissive Quantum Dot-Polymer Blend )
Hanleem Lee Seungeun Lee Hyoyoung Lee
钙钛矿量子点(QDs)与空穴传输层(HTL)的混合是解决发光二极管(LED)中电荷注入、能态匹配和缺陷钝化等长期存在的问题的一种可行的候选材料。然而，由于QD和HTL矩阵的不均匀分布，用于QD基LED的QD：HTL共混结构存在快速电荷和能量转移的问题。在这里，我们报告了一种在QD和TFB之间的新的可交联间隔配体，它导致了一个高发射的QD：TFB共混LED器件。我们合成了三种具有代表性的间隔配体来控制量子点和HTL之间的电荷和能量转移。第一个间隔配体用于控制量子点与TFB之间的分子距离，第二个间隔配体用于研究量子点与间隔配体之间的分子相互作用如何影响量子点：TFB共混物的光学性质。然后，设计了最佳的间隔配体10-((2-苯甲酰基苯甲酰基）氧基）癸酸（通过二苯甲酮基团）锚定TFB，并同时与QDs（羧酸官能团）键合。羧酸基团与QDs强相互作用，显著提高了QDs与TFB的交联率。由于QDs与TFB之间的直接相互作用，空穴载流子可以通过TFB的导电主干有效地注入钙钛矿QDs，在7.4V时由于载流子注入平衡而获得10917cd/m2的最高亮度值。与原始QD器件相比，这至少是LED性能的10倍。
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