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p型HgCdTe无等离子体超低温ALD ZnS钝化的电学性质( Electrical Properties of plasma-free ultra-low-temperature ALD ZnS passivation on p-Type HgCdTe )
A Cui C Sun F Wang Z Ye
采用金属有机化合物超低温原子层沉积（ULT-ALD）技术，在80℃下成功地沉积了ZnS薄膜。这种无等离子体ULT-ALD消除了等离子体和高温对HgCdTe表面的损伤。研究了传统CdTe/ZnS和ULT-ALD ZnS钝化HgCdTe金属绝缘体半导体(MIS)结构的电容电压特性。ALD ZnS钝化MIS结构界面的固定电荷面密度为-6.40×10cm，低于双层钝化的4.20×10cm，慢态密度分别为5.94×10cm和2.61×10cm。ALD ZnS钝化MIS结构的磁滞随温度变化几乎不变。根据这些发现，结合ALD薄膜的高致密性和符合性的特点，我们认为ALD ZnS薄膜比传统的双层钝化具有更好的电学性能，界面质量得到了显著改善，但获得的固定电荷密度仍然很高，需要进一步降低。
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