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裁剪聚合物微观结构以减缓亚10nm EUV光刻中的图案坍塌:多尺度模拟研究( Tailoring polymer microstructure for the mitigation of the pattern collapse in sub-10nm EUV lithography: Multiscale simulation study )
MKA B SP B JC C JMA B MCA B
利用极紫外光刻(EUVL)制备光致抗蚀剂(PR)纳米薄膜推动集成电路小型化的重大进展；然而，亚10 nm节点在漂洗过程中严重遭受塌陷（结构刚度↓，较密线图中毛细管力↑）。为了减轻塌陷，我们提出了一种新型的光刻胶，杂化材料，在曝光边界上具有精细的聚合物微结构；暴露区域的线性链和掩蔽区域的交联网络的混合。该杂化体系通过暴露-烘烤-固化过程在聚合物暴露边界处产生陡峭的化学梯度，引发保护官能团上的选择性交联反应，在计算模型中合成。所述交联结构专为所述富含保护基团的未暴露区域形成；因此，化学连接紧密地锚定在水溶液中的掩蔽链，导致界面表面的纳米级平滑。此外，残余链上的化学连接有助于宏观应变下聚合物基体上的力传递。在候选材料中，加入双环交联剂的杂化抗蚀剂表现出最佳的负载传递效率(E101.4%↑)和均匀的界面表面（粗糙度26.4%↓)，显著地减轻了机械变形，并在整洁体系中扩展了图形的临界长宽比。
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