掺杂密度和温度对甲酰胺三碘化锡薄膜光电性能的影响

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作者：scidown 发布时间：2021-06-27 01:55:35 文章标题：

掺杂密度和温度对甲酰胺三碘化锡薄膜光电性能的影响( The Effects of Doping Density and Temperature on the Optoelectronic Properties of Formamidinium Tin Triiodide Thin Films )

文章作者：

Milot, Rebecca L Klug, Matthew T Davies, Christopher L Z Wang H Kraus Snaith, Henry J Johnston, Michael B Herz, Laura M charge‐carrier mobility charge‐carrier recombination hybrid perovskite photovoltaics SnF2 THz spectroscopy

文章简述：

图1.在FaSNi3中电荷-载流子复合与掺杂密度的关系。A）制备溶液中添加0%、5%和10%SnF2的FASnI3薄膜的暗电导率谱（实部）。实线表示实验数据，阴影区域表示测量到一个标准偏差的不确定度。B)OPTPS测量了添加不同浓度SnF2的FASnI3薄膜的电荷-载流子复合动力学。薄膜在800nm光激发，注量为110Jcm-2。实线符合方程(1)，圆形标记代表实验数据。数据已经标准化，以方便动态比较。C）从A部分所示的暗电导谱中提取的掺杂密度与单分子电荷-载流子重聚速率K1之间的关系。红色标记为实验数据，黑色实线为线性拟合，虚线表示Y截距，阴影区域表示直线的斜率。

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