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溅射氧化镍薄膜的电学和光学性质与厚度的关系( Thickness dependence of electrical and optical properties of sputtered Nickel oxide films (DOI:10.1016/j.tsf.2005.07.124) )
HL Chen YM Lu WS Hwang
采用射频磁控溅射技术，在纯氧气氛下，在射频功率为200 W的非加热和加热(400°C)的衬底上沉积了不同厚度的氧化镍薄膜。利用四探针和霍尔效应测量了薄板电阻和电阻率。结果表明，在未加热的衬底上制备的200 nm厚的样品可以获得最低的片电阻(16.87kΩ/-)和最小的电阻率(0.69Ωcm)。薄膜的透过率随薄膜厚度的增加而降低。用X射线衍射研究了NiO薄膜的结晶性能与薄膜厚度的关系。在未加热的衬底上制备的NiO薄膜的择优取向为（111）。当衬底温度为400°C时，温度变为（200）。对于相同的薄膜厚度，未加热的衬底比在400°C加热的衬底上获得的薄膜晶粒尺寸更大。
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