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晶片级氧掺杂MoS2单层( Wafer‐Scale Oxygen‐Doped MoS2 Monolayer )
Z Wei J Tang X Li Z Chi Y Wang Q Wang B Han N Li B Huang J Li band engineering field‐effect transistors molybdenum disulfide oxygen substitution wafer‐scale doping
单层MoS2是未来小型化和柔性电子学的一种新兴的二维半导体材料。尽管高单层MoS2已经可以在晶片规模上使用，但其均匀掺杂仍然是一个尚未解决的问题。这种掺杂不仅可以调整其性能，而且可以促进许多潜在的大型应用，因此具有重要意义。本工作采用原位化学气相沉积工艺，实现了掺杂水平可调的2In晶片单层MoS2(MoS2xOx)的均匀氧掺杂。有趣的是，超快红外光谱测量和rinciples计算表明，随着氧掺杂水平的增加，单层MoS2xOx的带隙减小。在此基础上制备了场效应晶体管和逻辑器件，获得了优异的电子性能，展示了这种掺杂MoS2单层的前景。本文报道了用化学气相沉积法对MoS2晶圆单层进行原位掺氧。掺杂膜(MoS2xOx)均匀，掺杂能级可调，带隙随氧浓度的增加而减小。制备了单层MoS2xOx场效应晶体管和逻辑器件，显示出良好的电子性能。
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