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基于块体和界面工程的Hf0.5Zr0.5O2铁电膜的大残余极化( Large Remnant Polarization in a Wake-Up Free Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Film through Bulk and Interface Engineering )
A Kashir H Kim S Oh H Hwang high-resolution transition electron microscopy wake-up free mechanical stress interface engineering Schottky barrier remnant polarization ozone dosage leakage current
通过引入Pt/HZO界面，获得了具有最高残余极化的无尾迹Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜，从而减小了漏电流。
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