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基于van der Waals异质结构的石墨烯- bi2te3可饱和吸收体有望用于固态调q激光器吗?( Are graphene-Bi2Te3 van der Waals heterostructure-based saturable absorbers promising for solid-state Q-switched lasers? )
J Qiao WH Sung JC Lan YY Lin CK Lee
本文比较了自制石墨-Bi2Te3(G-B)范德华异质结构与Bi2Te3拓扑绝缘体(TI)的吸收特性。结果表明,G-B异质结可以极大地提高调制深度和饱和强度。此外,我们还首次用G-B异质结作为饱和吸收体(SA)实现了1.06μm的被动开关激光器。与Bi2Te3Ti相比,G-B异质结构开关激光器具有更好的激光性能,表明G-B异质结构是1μm激光器的一种很有前途的SA候选器件。
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