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锗离子注入以调整硅跑道谐振器的耦合效率( Germanium ion implantation for trimming the coupling efficiency of silicon racetrack resonators )
MM Milosevic X Yu C Xia O Aktas GT Reed
近年来,我们在可擦除光栅和定向耦合器、可调谐谐振器和马赫-曾德尔干涉仪以及利用锗离子注入和局域激光退火的可编程光子电路等各种硅光子器件的发展方面取得了成果。在本文中,我们进行了实验,分析了一系列可以用相同技术制作的器件,特别是对制作缺陷非常敏感的绝缘体上硅赛道谐振器。模拟和实验结果表明,通过选择性局域激光退火可以永久优化这些结构的耦合效率。

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