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新型y2geo 5:Pr 3+,Tb 3+:亚微米信息点的深陷阱级形成和模拟二进制光存储( Novel Co〥oped Y 2 GeO 5 :Pr 3+ ,Tb 3+ : Deep Trap Level Formation and Analog Binary Optical Storage with Submicron Information Points )
M Deng Q Liu Y Zhang C Wang X Xu deep trap levels electron‐trapping materials optical information storage rare‐earth co‐doping submicron information points
光信息存储(OIS)以其高安全性、长寿命、低能耗等独特优势被认为是最有前途的数据存储方式之一。电子俘获材料的光致发光与先进的光学技术相结合是突破传统存储技术物理限制的可行途径。但无机ETMs仅限于实验室研究,至今未实现“微观”模拟光存储的亚微米记录点。在这项工作中,我们首次通过一个定制的光学系统实现了一个使用无机ETMs的OIS的典型应用。通过将选择性稀有金属离子Tb共掺杂到Y2GeO5中,得到了多维三阱。此外,第一性原理计算,结合X射线光电子能谱和低温电子自旋共振谱,揭示了陷阱能级的本质。值得注意的是,利用515纳米飞秒激光器以逐位方式自动记录{10×10}信息点阵列,然后通过线性连续扫描解码,检测每两个信息点之间的发射光谱,实现二进制信息中的“0”和“1”。希望本论文的工作能够推动无机ETMs在高密度、超高速领域的实际应用。
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