rf激发氧等离子体-阴极化生长SiO2/Si界面的电学特性

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作者：scidown 发布时间：2021-06-25 08:16:35 文章标题：

rf激发氧等离子体-阴极化生长SiO2/Si界面的电学特性( Electrical characteristics of the rf-excited oxygen plasma-cathodization-grown SiO2/Si interface )

文章作者：

Z. X. Liang Z. S. Han J. S. LouaL. C. 73.20. - r 81.40.Rs 81.60.Cp

文章简述：

用C-V和DLTS方法研究了用无极射频氧等离子体阴极技术生长的SiO2/n型Si(100)界面的电学性质。在硅禁带的上部区域发现了密度较高的界面陷阱，陷阱的截获截面为10～18cm2，在1012eV-1 cm-2范围内。在400℃下，在干燥的N2气氛中退火30分钟后，它们的密度和俘获截面降低到1-2倍；分别为1011ev-1 cm-2和10～19cm-2。热退火前后的DLTS曲线也有明显差异。通过考虑低温下的特殊氧化和退火机制，定性地解释了结果

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