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形貌，微观结构和掺杂行为:聚硅/SiO x钝化接触不同沉积方法的比较( Morphology, microstructure, and doping behaviour: A comparison between different deposition methods for poly-Si/SiO x passivating contacts )
TN Truong Y Di Cam-Phu K Teng HT Nguyen crystallographic structures optoelectronic properties passivating contacts POLO poly‐Si surface morphologies TOPCon
研究和比较了不同沉积方法（溅射、等离子体增强化学气相沉积[PECVD]和低压化学气相沉积[LPCVD])形成的异位掺磷多晶硅（poly-Si）/SiO x钝化触头的晶体结构、光电性能和纳米表面形貌。在所有这些沉积技术中，我们注意到相同的趋势：较高的扩散温度产生更结晶的薄膜，但由于较大的表面晶粒而具有更粗糙的表面形态。另外，沉积态Si薄膜的再结晶过程是从SiO x界面开始的，而不是从薄膜的表面和体部开始的。然而，这些技术之间存在一些明显的差异。首先，LPCVD方法的沉积速率最低，表面最粗糙，结晶度最小。相比之下，PECVD方法对于沉积态Si和退火态多晶硅薄膜都具有最高的沉积速率和最光滑的表面。第二，溅射和PECVD沉积的Si薄膜只含有非晶相，而LPCVD沉积的Si薄膜已经含有一些晶相。第三，LPCVD法中磷的向衬底扩散强烈地依赖于初始膜厚，而其他两种方法对膜厚的依赖较弱。最后，不同类型多晶硅膜的钝化质量对膜厚和扩散温度有不同的响应，表明不同类型多晶硅膜的钝化质量应独立进行。
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