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掺杂剂在TOPCon结构超薄AlOx和AlOx/SiOx隧道层中的扩散及其对c-Si太阳能电池钝化质量的影响( Dopant diffusion through ultrathin AlOx and AlOx/SiOx tunnel layer in TOPCon structure and its impact on the passivation quality on c-Si solar cells )
L Lu Y Zeng M Liao J Zheng J Ye
对超薄原子层沉积AlOx、湿化学氧化SiOx及其组合作为隧道层与n型c-Si晶片上的B掺杂和P掺杂poly-Si接触层进行了比较研究。研究了三种隧道层的钝化质量随厚度和退火温度的变化规律。理想情况下,AlOx中高密度的固定负电荷有望对p型多晶硅作为接触层的钝化质量提供积极的好处,然而,令人惊讶的是,观察到AlOx和AlOx/SiOx并不能产生比SiOx更好的钝化效果。研究其机理，发现AlOx，特别是AlOx/SiOx双层膜能显著增强B的扩散，抑制P的扩散。B在AlOx和AlOx/SiOx区有明显的聚集，形成了B的扩散库。此外，自由载流子辅助的外本征扩散是AlOx/SiOx增强B扩散和延缓P扩散的另一个因素。增强的B扩散引起额外的俄歇复合和通过B-O对缺陷的复合，降低了p-TOPCon钝化质量；此外，大量的Al扩散到c-Si晶片中可能是影响钝化质量的另一个潜在因素，因为Al形成了深能级缺陷，并诱导了显着的SRH复合。
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