自形成阻挡层CuSc金属化的电气和可靠性展望

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作者：scidown 发布时间：2021-06-25 09:30:00 文章标题：

自形成阻挡层CuSc金属化的电气和可靠性展望( Electrical and Reliability Perspectives for Self-Forming Barrier CuSc Metallization )

文章作者：

Yi-Lung Cheng Wei-Fan Peng Chih-Yen Lee Giin-Shan Chen Ying-Ning Lin Jau-Shiung Fang

文章简述：

报道了SiO2膜上CuSc层的电学和可靠性特性。在CuSC/SiO2集成结构中，通过425℃的热退火，在界面处形成了自形成势垒(SFB)。退火后，由于SFB的形成，电特性、电迁移和随时间变化的介电击穿可靠性得到了改善。这表明CuSc作为一种无衬垫和无障碍互连材料具有很大的潜力。

文章下载地址（开放版）：

IOP

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