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六角硅意识到( Hexagonal Silicon Realized )
HIT Hauge MA Verheijen S Conesa-Boj T Etzelstorfer M Watzinger D Kriegner I Zardo C Fasolato F Capitani P Postorino Raman Spectroscopy X-ray Diffraction Single-Crystalline Core/Shell Nanowire Hexagonal Crystal Structure Silicon
硅,可以说是最重要的技术半导体,当以六方晶体结构生长时,被预测将显示出一系列新的和有趣的性质。获得纯六方硅是一个巨大的挑战,因为它是以立方结构自然结晶的。在这里,我们演示了纯的和稳定的六方硅的制备,通过结构表征证明了这一点。在我们的方法中,我们将六方晶体结构从模板六方磷化镓纳米线转移到外延生长的硅壳层上,这样就形成了六方硅。典型的阿巴巴...透射电镜像差校正成像显示了六方结构的堆积。此外,X射线衍射测量表明该材料具有较高的结晶纯度。我们表明这种材料在9 GPa压力下是稳定的。随着这一进展,我们为探索其光学、电学、超导和力学性质开辟了道路。
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