铜酞菁薄膜中的空间电荷限制电流

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作者：scidown 发布时间：2021-06-22 14:33:37 文章标题：

铜酞菁薄膜中的空间电荷限制电流( Space‐Charge‐Limited Currents in Copper Phthalocyanine Thin Films )

文章作者：

A Sussman Copper Metallic thin films Electric measurements Electron densities of states Fermi levels

文章简述：

用欧姆接触法测量了酞菁铜薄膜的空间电荷限制电流。对电流随电压、温度、厚度和光照变化的研究表明,所有结果均符合nt(E)=ktcp0exp(E/ktc)的陷阱态指数分布假设,其中ktcp0是一个与总陷阱密度有关的参数,而nt(E)=ktcp0exp(E/ktc)的陷阱态指数分布符合nt(E)=ktcp0exp(E/ktc)的陷阱态指数分布的假设,nt(E)=ktcp0exp(E/ktc)的陷阱态指数分布。本文概述了获得迁移率、态密度、总陷阱密度、费米能级附近陷阱分布和陷阱俘获截面的实用技术，并报道了这些数值。

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