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衬底对二维材料中带电缺陷的影响( Substrate effects on charged defects in two-dimensional materials )
D Wang R Sundararaman
二维(2D)材料受到包括衬底在内的介电环境的强烈影响，使得它成为量子和电子技术设计材料的一个重要因素。然而，由于计算成本高，二维材料中带电缺陷能量学的第一性原理评估通常不包括衬底。我们提出了一种通用的连续介质模型方法，将衬底效应直接纳入二维材料中带电缺陷的密度泛函理论计算中。我们表明，与昂贵得多的显式衬底计算相比，这种技术准确地预测了电荷缺陷能量，但在计算独立二维材料中的缺陷时具有计算上的便利性。利用这一技术，我们快速预测了SiO2$和金刚石衬底对MOS中两个缺陷和hBN中十个有量子技术前景的缺陷的电荷跃迁能级的显著改变。这为高通量计算筛选二维材料中新的量子缺陷奠定了基础，这种方法可以有效地考虑衬底效应。
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