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用于高效多结设计的1ev gaassbn太阳能电池:退火后增强太阳能电池性能( 1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing )
A Gonzalo L Stanojevi DF Marrón A Guzman JM Ulloa
在本工作中，我们展示了生长后快速热退火(RTA)对~1eV GaAsSbN基太阳能电池性能的有利影响。研究了稀氮化物材料的不同构型：块状四元GaAsSbN层和不同周期厚度的Ⅱ型GaAsSb/GaAsN超晶格(SL)。RTA处理导致两种结构的外量子效率(EQE)提高，暗饱和电流和串联电阻值降低。这些改善的原因是富N和富Sb团簇和点缺陷密度的降低。值得注意的是，所有太阳能电池参数都得到了显著改善，这对于短路电流密度(JSC)和功率转换效率(PCE)尤其显著，后者具有高达500%的相对增强。JSC的大幅度增加是GaAsSbN结构多结太阳电池实现电流匹配的重要一步。
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