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聚噻吩分子器件电荷输运的DFT分析( Charge transport in polythiophene molecular device: DFT analysis )
A Sirohi B Santhibhushan A Srivastava
我们报道了聚噻吩分子器件中的电荷输运现象以及通过器件控制电荷输运性质的途径。利用密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)理论，成功地证明了通过引入沟道中的构象变化和施加外栅势来控制电荷输运性质的两种方法。具有负介晶效应的官能团如亚硝基、羧基和正介晶效应的官能团如氨基已被用作取代基，作为引入通道中构象变化的一部分。结果表明,只要在沟道中引入微小的构象变化和改变外栅势的极性,就可以使聚噻吩分子器件的电荷输运性质由空穴占优势转变为电子占优势,反之亦然。此外，在氨基取代噻吩器件中还观察到负微分电阻(NDR)行为。这些发现对于理解下一代分子电子学中用同一分子设计p型和n型晶体管是非常有用的。
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