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通过降维改进Ge4Se3Te的热电输运性能( Improved thermoelectric transport properties of Ge4Se3Te through dimensionality reduction )
HH Huang X Fan WT Zheng DJ Singh
层状半导体Ge_4Se_3Te显示出不寻常的键合,这暗示了不寻常的输运的可能性,这可能有利于热电材料的发展。利用基于第一性原理计算的Boltzmann输运理论研究了Ge4Se3Te的电子输运性质。我们发现对散体具有良好的输运特性。此外,我们发现通过降维可以提高载流子的迁移率和功率因数。键的性质,特别是弱非谐键,可以导致声子散射和低晶格热导率。如果载流子浓度得到优化,则单层膜(无论是p型还是n型)都有可能获得较高的热电性能。根据实验结果,在900 K时,可以达到ZT=2.6的值。
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