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设计的低㏄电源DRAM单元使用先进的场效应晶体管的架构( Design of Low㏄ower DRAM Cell Using Advanced FET Architectures )
A Durgesh SL Tripathi Carbon‐Nano‐tube FET Dynamic Random‐Access Memory FinFET low‐power applications TFET
本章包括动态随机存储器(DRAM)单元的设计和分析，重点比较了适合低、高、低性能存储器设计的碳管场效应管(CNTFET)、FinFET和TFET等不同技术。给出了1 T RAM(MOS)的结构。与MOSFET相比，CNTFET具有更多的优势；碳纳米管可以代替金属氧化物半导体，因为碳纳米管具有很高的性能，可以处理很高的电压。与MOSFET器件相比，FinFET器件具有更好的性能。FinFET由双栅组成，称为多栅器件。TFET是一种PIN二极管器件，由重掺杂的p区和n区组成，在p区和n区之间放置本征半导体材料。当栅极电压达到阈值电压时，导通以特定的方式发生，电子通过隧道在源极和漏极之间流动。
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