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碳化硅在氮化铝蒸气中的升华各向异性蚀刻( Sublimation Anisotropic Etching of Silicon Carbide in Aluminum Nitride Vapors )
TS Argunova OP Kazarova MY Gutkin EN Mokhov
本文报道了在氮化铝（AlN）蒸气存在下，晶体碳化硅（SiC）升华腐蚀的特点。蚀刻基本上是各向异性的。通过增加人工孔洞和平整矩形台面结构形状的表面高程，揭示了在横向方向上异常高的升华速度，该速度对表面取向和极性的依赖性较弱。在微管和闭芯螺旋位错的露头处观察到一个高速蚀刻，这导致在（）C端面上形成凹坑。在退火过程中，随着SiC衬底的升华，在一个过程中生长的AlN层中，凹坑演变成空穴，可能会在其内部引发气孔的形成。Si端面与C端面的升华动力学有明显不同。研究发现，在SiC晶面上形成液相，这对解释不同取向SiC晶面的刻蚀各向异性起着关键作用。结果表明，台面状SiC衬底的升华可以用于优化厚AlN独立层的制备。
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