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基于C-V特征的功率器件外延层参数提取算法研究( A new algorithm based on C–V characteristics to extract the epitaxy layer parameters for power devices with the consideration of terminationProject supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2018YFB0104701). )
J Wu N Ren K Sheng
外延层的掺杂浓度和厚度是功率器件最基本的参数。常规算法通过从其电容-电压（C-V）特性计算掺杂剖面来提取这两个参数。该算法将器件视为平行平面结，忽略端点的影响。外延层掺杂浓度有被高估和厚度被低估的趋势。为了获得更高精度的外延层参数，本文提出了一种适用于场限环(FLR)终端器件的新算法。该算法还基于C-V特性，考虑了FLR端接下耗尽区的扩展方式。这种扩展方式取决于FLR终端的设计参数，并通过仿真和建模进行了详细的研究。导出了器件C-V特性和有效掺杂剖面的解析表达式。通过将有效掺杂剖面表达式拟合到由C-V特性计算的C-V掺杂剖面上，可以提取更精确的外延层参数。还得到了耗尽区水平延伸宽度与垂直深度的关系。通过实验验证了新算法的可信度。本文还讨论了新算法在FLR/Field板组合终端中的适用性。该算法为功率器件的分析和改进提供了有力的工具。
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