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改善掺杂Cr杂质的硒化铅在光电器件应用中的电子和磁性性质:第一性原理的建议( Improvement electronic and magnetic properties of Cr impurity doped PbSe for optoelectronic devices applications: a first-principles proposal )
A Benkada S Habri BN Eddine D Bensaid B Kaddour
为了生产创新的自旋电子学元件，我们现在正在寻找室温下的铁磁半导体。本工作的目的是研究PbSe的电子结构和磁性能，以触发铁磁性和提高带隙。本文对掺Cr的IV-VI型PbSe稀磁半导体的电子结构和磁性能进行了详细的研究。我们的结果如下。然后我们计算了导（价）带电子（空穴）与磁性杂质之间的sp-d交换耦合。能带结构的拓扑结构表明，我们的材料是半金属，由于sp-d耦合的性质，在少数沟道中有一个直接的间隙。在平均场近似下得到的N(alpha)铁磁和N(eta)反铁磁的数值分别为0.551和(-0.445)eV。热电转换效率集中在一个单一的维度参数，品质因数ZT。我们已经看到，掺杂Cr也可以对热导率，从而对ZT有有利的影响。这使我们的材料成为热电应用的最佳化合物之一。
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