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利用修饰肖特基势垒控制金属-半导体纳米二极管热电子输运( Electronic Control of Hot Electron Transport Using Modified Schottky Barriers in Metal–Semiconductor Nanodiodes )
B Jeon C Lee JY Park metal−semiconductor composites Schottky barrier modification photocurrent chemicurrent effective charge transfer hot electron
热电子通量由入射光能和催化反应的热产生，是表面能量转化的主要因素。控制可逆器中的热电子通量对于获得高能量转换效率是极其重要的。在这里，我们证明了热电子通量可以通过调节肖特基势垒高度来控制。利用由金属-半导体组成的肖特基纳米二极管对这一现象进行了监测，在纳米尺度上肖特基势垒的形成必然伴随着金属-半导体结之间的本征像势，从而降低了有效肖特基势垒高度。当对纳米二极管施加反向偏压时，一个附加的镜像电位参与了二次势垒的降低，导致热电子流的增加。此外，隧穿宽度的减小使得电子更容易通过势垒输运。化学反应（chemicurrent）和光吸收（phototcurrent）增加的热电子通量表明改变肖特基势垒能更有效地捕获热电子。本研究为定量地理解和应用金属-半导体界面上的电荷行为、太阳能转换和催化反应提供了理论依据。
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