选择性注入深氮阱缓解PMOS SET的模拟研究

Scidown文献预览系统！

作者：scidown 发布时间：2022-09-05 02:33:06 文章标题：

选择性注入深氮阱缓解PMOS SET的模拟研究( Simulation Study of the Selectively Implanted Deep-N-Well for PMOS SET Mitigation )

文章作者：

H Yibai C Shuming Deep-N-well parasitic bipolar amplification radiation hardened by design (RHBD) single event single-event transient (SET)

文章简述：

本文采用计算机辅助设计(TCAD)技术数值模拟的方法，研究了一种用于PMOS单粒子瞬态(SET)减缓的新型阱结构。基于90nm CMOS工艺的仿真结果表明，与传统的双阱工艺相比，选择性注入深N阱(SIDNW)能在不增加面积、功率和性能的前提下显著降低设定脉冲宽度。并与三井工艺进行了比较。

文章下载地址（开放版）：

140.98.202.196

『Sci-Hub|Scidown』怎么用？来看看教程吧！

支持模式 1.支持DOI号 2.支持英文文献全名搜索 3.支持参考文献搜索 4.知网文献（暂时关闭）

安卓手机、电脑用户，您可以在QQ浏览器里输入 www.scidown.cn 打开scidown解析，就可以解析、下载了！（注意是文献的DOI号）

苹果手机用户，您需要先在App Store里搜索并下载 Documents by Readdle 这个APP，在APP首页，左划右下角的指南针图标打开APP内置浏览器，在浏览器里输入 www.scidown.cn 打开scidown解析，就可以解析、下载了！

如出现BUG？赶快加入【Scidown互助交流群】反馈吧：729083885【点击一键加群】

『Sci-Hub|Scidown』相关参考文献