拓扑绝缘体/砷化镓异质结构界面上的自旋操纵

Scidown文献预览系统！

作者：scidown 发布时间：2021-06-15 22:25:49 文章标题：

拓扑绝缘体/砷化镓异质结构界面上的自旋操纵( Spin manipulation at the interface of a topological insulator/GaAs heterostructure )

文章作者：

D Qu X Che X Kou M Lang J Crowhurst MR Armstrong J Zaug KL Wang GF Chapline

文章简述：

自旋电子学的一个主要目标是发现能够对自旋进行有效电控制的材料和器件。拓扑绝缘体(TI)由于其强大的自旋轨道特性，为自旋的产生和操纵提供了诱人的机会。本文报道了在室温下从拓扑绝缘体薄膜（BiSb）到相邻半导体GaAs的自旋驱动。在Ti/GaAs异质结中，光致自旋电流通过界面流动，并通过反向自旋霍尔效应产生电流，将自旋电流转化为电荷电流。我们发现，与螺旋度有关的光电流的大小和方向可以由栅极电压控制，表明自旋构型的电调谐。

文章下载地址（开放版）：