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掺杂石墨烯与含C和n材料间二维异质结构和异质结的电子和光学性质( Electronic and Optical Properties of Two-Dimensional Heterostructures and Heterojunctions between Doped-Graphene and C- and N-containing Materials )
A Bafekry D Gogova M Fadlallah NC Van M Oskoeian
利用van der Waals密度泛函理论研究了（B,N）共掺杂石墨烯（dOP@Gr）与石墨烯(Gr)、C_3N、BC_3和h-BN单层的垂直异质结（HTSs）和横向异质结（HTJs）的电子和光学性质。我们发现所有考虑的高温超导材料在室温下都是可行的，因此可以在实验上合成。DOP@GR/GR、BC$_3$/DOP@GR和BN/DOP@GR高温超导材料是半导体材料,其直接带隙分别为0.1eV、80meV和1.23eV,而C$_3$N/DOP@GR是金属材料,这是由于DOP@GR和C$_3$N层之间存在强烈的相互作用。另一方面，DOP@GR-GR和BN-DOP@GR HTJ是半导体，而C$_3$N-DOP@GR和BC$_3$-DOP@GR HTJ是金属。与Gr和BN单层相比，所提出的HTSs可以增强整个波长范围内的光吸收。施加的电场或压力应变改变了高温超导材料和高温超导材料的带隙，表明这些高温超导材料在纳米多功能器件中有很好的应用前景。
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