无源与有源射频元件硅基板耦合的等效电路表示

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作者：scidown 发布时间：2021-06-15 15:03:47 文章标题：

无源与有源射频元件硅基板耦合的等效电路表示( Equivalent Circuit Representation of Silicon Substrate Coupling of Passive and Active RF Components )

文章作者：

N Azuma M Nagata SIGNAL INTEGRATED-CIRCUITS NOISE DESIGN ICS

文章简述：

射频(RF)元件的衬底耦合由等效电路表示，该等效电路将电阻网状网络与器件模型背面的集总电容统一起来。双端口S参数测试结构用于表征具有不同几何尺寸的65 nm CMOS技术中电阻、电容、电感和MOSFET的衬底耦合强度。在最高达8 GHz的目标频率范围内，等效电路的仿真与测试结构的测量结果之间的一致性得到了很好的证明，无源器件的传输特性偏差一般小于3 dB，有源器件的传输特性偏差一般小于6 dB。2013电子、信息和通信工程师协会版权所有。

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