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溅射和退火制备的碳氮化硅薄膜的蓝紫发射( Blue-violet Emission of Silicon Carbonitride Thin Films Prepared by Sputtering and Annealing Treatment )
LA Qiang CAB Cheng MXA C YW A XW C ZZ A ZA Wu JSB D
在SiCN薄膜蓝紫光发射性质的研究中，发射强度取决于薄膜的晶体结构。退火工艺作为去除缺陷、提高晶体质量的有效手段之一被广泛应用于薄膜的制备过程中。本研究利用烧结氮化硅和石墨靶在Si/SiO2衬底上用射频磁控溅射法制备了SiCN薄膜。然后，样品在氩气环境下从600到1000℃分别退火30分钟，以优化蓝紫光发射的光致发光性能。XRD谱的表征结果表明，退火温度为900°C的SiCN样品的结晶度最好。退火后样品的化学键和表面形貌发生了很大的变化。在900°C退火前后,SiCN样品的均方根粗糙度从1.9nm增加到20.19nm。PL光谱结果表明,经1000°C退火后,365 nm处的蓝紫光发射强度增强了28.6倍。这使得SiCN薄膜成为蓝紫LED荧光粉的候选材料。
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