磁隙效应对拓扑绝缘体铁磁/超导体结隧穿电导的影响

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作者：scidown 发布时间：2021-06-13 00:03:43 文章标题：

磁隙效应对拓扑绝缘体铁磁/超导体结隧穿电导的影响( Magnetic gap effect on the tunneling conductance in a topological insulator ferromagnet/superconductor junction )

文章作者：

B Soodchomshom Topological insulator Ferromagnet/superconductor junction Andreev reflection Spintronics

文章简述：

研究了基于拓扑绝缘体的铁磁体/超导体（F/S）结构表面的隧穿电导,其中S为S波超导体,超导序参量为。电导是基于BTK公式计算的。沿z方向施加F中的磁化强度(m=<0,0,m>)，以诱导F区Dirac电子的能质间隙（m）。本文着重研究了F区磁场引起的能隙对电导的影响。文中还考虑了栅电位U施加在S上方电极上时,F(EFF=EF)与S(EFF=EF+U)之间的费米能失配。因此，偏置电压V会导致电导切换到e V=？，具体取决于磁场的值。电导率与m或U呈线性关系，曲线的斜率也可以调整。在基于拓扑绝缘体的F/S结构中的这种线性行为对于线性控制电流器件的电子应用可能是有价值的。基于拓扑绝缘体的F/S结中准Dirac粒子的隧穿电导与基于石墨烯的F/S结中的隧穿电导有很大差异。

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