自催化纳米线中突然性的GaP/GaAs界面

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作者：scidown 发布时间：2022-08-09 18:39:06 文章标题：

自催化纳米线中突然性的GaP/GaAs界面( Abrupt GaP/GaAs Interfaces in Self-Catalyzed Nanowires )

文章作者：

G Priante G Patriarche F Oehler F Glas JC Harmand molecular beam epitaxy III−V semiconductors heterostructure interfaces self-catalyzed Nanowires

文章简述：

利用固体源分子束外延技术，实现了纯GaP纳米线和GaAs1-xPx/GaAs1-YPy纳米线异质结构的自催化生长。通过交换V族磁通，制备了近纯GaAs和GaP的连续链段。我们用高角环形暗场扫描透射电镜测试了不同的磁通切换过程，并以原子分辨率测量了相应的界面成分分布。在V族换向时，在短时间内关闭所有的分子束通量可以显著改善界面突变。最后，我们证明了生长前沿的形态可以是平坦的，也可以是截断的，这取决于生长条件。该方法可以直接在Si(111)晶片上合成高质量GaP/GaAs轴向异质结。

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