聚(9,9-二辛基芴噻吩)/石墨烯纳米复合材料:石墨烯对光电特性的影响。

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作者：scidown 发布时间：2021-06-11 09:43:20 文章标题：

聚(9,9-二辛基芴噻吩)/石墨烯纳米复合材料:石墨烯对光电特性的影响。( Poly(9,9-dioctylfluorene-alt-thiophene)/graphene nanocomposite: effects of graphene on optoelectronic characteristics. )

文章作者：

CH Liu CL Lin PC Chiu JL Tang CC Tsiang GRAPHENE NANOCOMPOSITE OPTOELECTRONICS POLY(99-DIOCTYLFLUORENE-ALT-THIOPHENE

文章简述：

以聚（9,9-二辛基芴-ALT-噻吩）(PDOFT)和石墨烯片材为原料,合成了纳米复合材料,研究了石墨烯对其光电性能的增强作用。PDOFT/石墨烯纳米复合材料的UV/Vis和光致发光谱表明，石墨烯的存在并没有改变PDOFT的光学特征波长，溶液样品和薄膜都发出绿光。同时，PL量子效率的不显着变化表明石墨烯对激发能的转移、自猝灭的发生和准分子的形成没有显着影响。但是，电导率随着石墨烯用量的增加而增加。利用循环伏安法测量的电离势（HOMO）和电子亲和势（LUMO）确定了光学带隙（Eg（chem））。当用于制造光电子器件时，阈值电压随着石墨烯含量的增加而降低，直到过量的石墨烯引起电子和空穴迁移率的不平衡。用石墨烯含量为5%的PDOFT/石墨烯制备的器件在9.5V电压下的最大发光强度为5908cd/m~2,在该最大发光强度下的相应功率效率为0.38cd/a,远高于用原始PDOFT制备的器件。从器件的导纳谱来看，电子迁移率已经被证明随着石墨烯含量的增加而增加。

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