电磁耦合化学气相渗法制备夹层结构C/C- sic复合材料

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作者：scidown 发布时间：2021-06-10 20:38:19 文章标题：

电磁耦合化学气相渗法制备夹层结构C/C- sic复合材料( Sandwich-structured C/C-SiC composites fabricated by electromagnetic-coupling chemical vapor infiltration )

文章作者：

C Hu W Hong X Xu S Tang S Du HM Cheng

文章简述：

碳纤维(CF)增强碳-碳化硅（C/C-SiC）复合材料是最有前途的再入热防护、火箭喷管和刹车盘应用的轻质材料之一。本文采用两步电磁耦合化学气相渗透（E-CVI）技术制备了一种新型夹层结构C/C-SiC复合材料,该复合材料由两层C/SiC外层、两层C/C-SiC梯度层和一层C/C芯层组成,沉积时间为20h。分别用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对复合材料的截面形貌、界面微观结构、SiC基体生长特征和成分进行了表征。微观结构表征表明,SiC的生长包括初始的非晶SiC区、SiC的逐渐结晶和纳米晶的长大以及柱状晶区。夹层结构、快速沉积速率和生长特性归因于E-CVI过程中热梯度的形成和电磁场的建立。复合材料的密度低,为1.84g/cm3,弯曲强度高,为325MPa,在5次氧乙炔火焰中暴露1000s,线性烧蚀速率低,为0.38m/s。

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