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四元硅掺杂alingan的结构、光学和电学性质( THE STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF SI-DOPED ALINGAN QUATERNARY )
S M Thahab Ban Hussein
研究了在MBE生长的蓝宝石（0001）衬底上生长的掺Si AlxInyGa1-x-yN合金的结构和光学性能。对薄膜的反射率、折射率进行了测量，并进行了AFM分析。硅掺杂AlxInyGa1-x-in合金薄膜的AFM图像显示出不同的表面织构。观察到光滑的表面纹理。掺Si AlxInyGa1-x-yN合金薄膜的AFM图像涉及多个具有相同粒径散射的柱状排列晶粒。获得了AlxInyGa1-x-yN合金3.03nm的粗糙度(RMS)值。氮化物薄膜的反射率光谱显示出不同的散射峰，证实了分离价基团的存在，从而产生了三个数目的吸收激子。
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