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可充电储钠用硬碳阳极的“自掺杂”缺陷工程( "Self-Doping" Defect Engineering in SnP3@Gamma-Irradiated Hard Carbon Anode for Rechargeable Sodium Storage )
N Li Y Wang L Liu H Shi H Deng
钠离子电池电极材料缺陷工程的合理设计可以显著优化电池性能。在此，与传统的“外国掺杂”缺陷方法相比，我们报道了一种创新的γ辐照技术，在爆米花硬碳(HC)中引入“自掺杂”缺陷。考虑到吸附-插层-合金化储钠机制的优点，集成了富缺陷HC涂层合金结构(SnP3@HC-γ)。由于γ射线能量高、穿透性强，构建的“自掺杂”缺陷工程有效扩展了HC的层间结构，形成不规则的环形结构。同时，暴露的大量配位不饱和位点可以加速表面反应动力学。基于SnP3@HC-γ的协同作用，复合材料在0.1A g的SIBS中具有668 mAh g的良好可逆容量。即使在1.0A g循环400次后，仍能保持88%容量保持（430 mAh g）的优异可循环性。我们设想，该研究所采用的γ辐照技术不仅颠覆了“自掺杂”缺陷会降低性能的普遍认知，还将为大规模构建高缺陷、大容量、稳定的钠离子负极材料提供可靠的技术支撑。
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